Elec-Beam Machinery

 

CP-8000+는 아르곤 이온 빔을 이용하여 시료의 단면을 식각하는 장비로, 시료 단면에 구조적 손상과 같은 물리적 변형을 주지 않으며 화학적 공정 또한 필요하지 않아 복잡한 공정 없이 깨끗한 단면 처리가 가능합니다. 또한 수십 um에서 mm 영역까지 보다 넓은 면적을 가공하여 시료 단면 분석에 용이합니다.

 

• 시간당 700㎛의 높은 식각률 (Si, 8kV 기준)
• 자주 쓰는 레시피 저장/불러오기 기능 탑재
• Step by step 레시피 자동 실행 기능      
• 샘플 높이 지그와 스마트 샘플 홀더를 이용한 손쉬운 시료 로딩
• 이온 빔 상태, 식각 상황 실시간 관찰 (챔버 카메라) 
• 편리한 스크린플레이-직관적인 GUI와 손쉬운 터치스크린
• 이온 빔 Auto On / Off 기능으로 열 손상 최소화
• 디지털 현미경을 이용한 빠르고 편한 이온 빔-시료 정렬
• 노이즈, 진동, 오일 프리 다이어프램 펌프 기본 제공
• 넓은 면적에 대한 평면 식각을 위한 플렛 밀링 기능 기본제공

 

PRINCIPLES OF CROSS CECTION POLISHER

 

이온 건에 전압이 인가되고 아르곤 가스가 주입되면, 플라즈마가 발생하며 가속 전압에 의해 이온 빔이 시료에 조사되어 식각이 시작됩니다.시료를 금속재질의 시편마스크 뒤에 위치하여 이온 빔이 시편마스크와 시료에 동시에 조사될 때, 시편마스크의 쉴딩 효과(Shielding)로 시료의 빔 데미지를 최소화하여 깨끗한 단면 식각 결과를 얻을 수 있습니다.

 

FLAT MILLING

 

CP-8000+는 전용 홀더를 이용하여 평면 가공이 가능합니다. 전용 홀더에 시료를 장착하고 플랫 밀링 기능을 사용하면, 회전 중심축을 기준으로 수 mm2 면적이 이온 빔에 의해 식각 됩니다. 이때, 이온 빔이 시료 표면에 부딪히는 입사 각도에 따라 연마 속도, 면적, 깊이가 달라지므로, 시료대의 각도를 조절하고, 시료대를 회전시킴으로 균일한 표면 연마를 유도합니다. 보다 넓은 면적에 이온빔을 조사하여, 시료 표면층을 식각 하여 넓은 부위의 시료 전처리에 유용합니다.

 

	SPECIFICATIONS
Accelerating voltage	2 to 8kV
Milling rate	700㎛/h (at 8kV on Si wafer)
Sample stage swing angle	±35°
Maximum sample size	20(W) × 10(L) × 5.5(T)mm  16(W) × 10(L) × 9.5(T)mm
Specimen movement range	X axis movement : ±3.5mm / Y axis movement : ±2mm
Flat milling stage tilt angle range	40° to 80°
Sample size for flat milling	Ø30 × 11.4(H)mm
Operation	7 inch touch panel
Digital Microscope for sample positioning	Mag. x5, x10, x20, x40
Chamber camera for monitoring	Mag. x5, x10, x20, x40 Brightness adjustable in 4 steps Ion beam observation mode (LED Off)
Gas for Ion	Argon gas (99.999%)
Gas pressure	0.03 MPa (4.4psi)
Gas flow control	Mass Flow Control
Vacuum systems	Turbo pump, Diaphragm pump
Dimension	607(W) × 472(D) × 277.5(430.5)(H) mm
Weight	Main system 36kg / Diaphragm pump 6.5kg
Features	Auto Beam On/Off mode  Step by step mode

 

Ion Milling Image